SMUN5311DW1T2G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
通道数 2
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.385 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V
额定功率Max 187 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SMUN5311DW1T2G引脚图与封装图
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在线购买SMUN5311DW1T2G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMUN5311DW1T2G | ON Semiconductor 安森美 | SC-88 NPN+PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号SMUN5311DW1T2G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMUN5311DW1T2G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 6-TSSOP NPN PNP 385mW | 当前型号 | SC-88 NPN+PNP 50V 100mA | 当前型号 |