SMUN5313DW1T3G中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN+PNP
耗散功率 385 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 187 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
外形尺寸
封装 TSSOP-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SMUN5313DW1T3G引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SMUN5313DW1T3G | ON Semiconductor 安森美 | MUN5313DW1: 互补双极数字晶体管 BRT | 搜索库存 |