锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SMUN5335DW1T1G

SMUN5335DW1T1G

数据手册.pdf

晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363


得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363


立创商城:
SMUN5335DW1T1G


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率


艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R


SMUN5335DW1T1G中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.385 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 187 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SMUN5335DW1T1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SMUN5335DW1T1G
型号 制造商 描述 购买
SMUN5335DW1T1G ON Semiconductor 安森美 晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率 搜索库存