SMUN5112DW1T1G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 385 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
外形尺寸
封装 TSSOP-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SMUN5112DW1T1G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMUN5112DW1T1G | ON Semiconductor 安森美 | 双PNP偏置电阻晶体管R1 = 22千欧， R2 = 22 K· Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k | 搜索库存 |