SMBT3904DW1T1G中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SMBT3904DW1T1G引脚图与封装图 
SMBT3904DW1T1G引脚图
SMBT3904DW1T1G封装图
SMBT3904DW1T1G封装焊盘图
在线购买SMBT3904DW1T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBT3904DW1T1G | ON Semiconductor 安森美 | MBT 系列 40 V 200 mA 表面贴装 NPN 硅 双 通用 晶体管 - SOT-363 | 搜索库存 |
替代型号SMBT3904DW1T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBT3904DW1T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 6-TSSOP NPN 150000mW | 当前型号 | MBT 系列 40 V 200 mA 表面贴装 NPN 硅 双 通用 晶体管 - SOT-363 | 当前型号 |
| 型号： SBC847BPDXV6T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN PNP 500mW | 功能相似 | 1个NPN,1个PNP 45V 100mA | SMBT3904DW1T1G和SBC847BPDXV6T1G的区别 |