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SMUN5131DW1T1G

SMUN5131DW1T1G

数据手册.pdf

双PNP偏置电阻晶体管R1 = 2.2千欧, R2 = 2.2 K· Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA - 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363


得捷:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88


立创商城:
SMUN5131DW1T1G


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR PNP 50V


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 50V SC88


SMUN5131DW1T1G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.385 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 8 @5mA, 10V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SMUN5131DW1T1G引脚图与封装图
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在线购买SMUN5131DW1T1G
型号 制造商 描述 购买
SMUN5131DW1T1G ON Semiconductor 安森美 双PNP偏置电阻晶体管R1 = 2.2千欧, R2 = 2.2 K· Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k 搜索库存