SMMBT5088LT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 50 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 300 @100µA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMMBT5088LT1G引脚图与封装图
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在线购买SMMBT5088LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMMBT5088LT1G | ON Semiconductor 安森美 | MMBT5088L: NPN 双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号SMMBT5088LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMMBT5088LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23-3 NPN 300mW | 当前型号 | MMBT5088L: NPN 双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： MMBT5088LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 30V 50mA 0.3W | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBT5088LT1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 225 mW, 50 mA, 50 hFE | SMMBT5088LT1G和MMBT5088LT1G的区别 |
| 型号： KST5088MTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 30V 50mA 350mW | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 3Pin SOT-23 T/R | SMMBT5088LT1G和KST5088MTF的区别 |