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SBCW66GLT1G

SBCW66GLT1G

数据手册.pdf

SOT-23 NPN 45V 0.8A

Jump-start your electronic circuit design with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

SBCW66GLT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SBCW66GLT1G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SBCW66GLT1G ON Semiconductor 安森美 SOT-23 NPN 45V 0.8A 搜索库存
替代型号SBCW66GLT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SBCW66GLT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23-3 NPN 300mW

当前型号

SOT-23 NPN 45V 0.8A

当前型号

型号: BCW66GLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 800mA 300mW

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型号: BCW66GLT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23-3 NPN 0.3W

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品牌: 罗姆半导体

封装: SOT-23-3

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