锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
SBCW66GLT1G

SBCW66GLT1G

数据手册.pdf

SOT-23 NPN 45V 0.8A

Jump-start your electronic circuit design with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

SBCW66GLT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SBCW66GLT1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SBCW66GLT1G
型号 制造商 描述 购买
SBCW66GLT1G ON Semiconductor 安森美 SOT-23 NPN 45V 0.8A 搜索库存
替代型号SBCW66GLT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SBCW66GLT1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-23-3 NPN 300mW

当前型号

SOT-23 NPN 45V 0.8A

当前型号

型号： BCW66GLT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 NPN 45V 800mA 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BCW66GLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFE

SBCW66GLT1G和BCW66GLT1G的区别

型号： BCW66GLT3G

品牌： 安森美

封装： SOT-23-3 NPN 0.3W

类似代替

PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

SBCW66GLT1G和BCW66GLT3G的区别

型号： BC817-25T116

品牌： 罗姆半导体

封装： SOT-23-3

类似代替

Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3Pin SOT-23 T/R

SBCW66GLT1G和BC817-25T116的区别