锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
SBC856BDW1T1G

SBC856BDW1T1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  SBC856BDW1T1G  双极晶体管阵列, 双PNP, -65 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363 新

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile PNP GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 380 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. It has a maximum collector emitter voltage of 65 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

SBC856BDW1T1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

针脚数 6

极性 PNP

耗散功率 380 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 475

额定功率Max 380 mW

直流电流增益hFE 150

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

SBC856BDW1T1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SBC856BDW1T1G
型号 制造商 描述 购买
SBC856BDW1T1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  SBC856BDW1T1G  双极晶体管阵列, 双PNP, -65 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363 新 搜索库存
替代型号SBC856BDW1T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SBC856BDW1T1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： 6-TSSOP PNP 380mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  SBC856BDW1T1G  双极晶体管阵列, 双PNP, -65 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363 新

当前型号

型号： BC856BDW1T3G

品牌： 安森美

封装： SOT-363 PNP -65V -100mA 380mW

完全替代

PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

SBC856BDW1T1G和BC856BDW1T3G的区别

型号： SBC856BDW1T3G

品牌： 安森美

封装： 6-TSSOP PNP 380mW

完全替代

双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

SBC856BDW1T1G和SBC856BDW1T3G的区别