锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SBC857BWT1G

SBC857BWT1G

数据手册.pdf

单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 220 hFE

Bipolar BJT Transistor PNP 45V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 SOT323


得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3


立创商城:
SBC857BWT1G


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 220 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R


安富利:
The NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-323/SC-70 package, which is designed for low power surface mount applications.


Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R


SBC857BWT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 220

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SBC857BWT1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SBC857BWT1G
型号 制造商 描述 购买
SBC857BWT1G ON Semiconductor 安森美 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 220 hFE 搜索库存
替代型号SBC857BWT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SBC857BWT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SC-70 PNP 150mW

当前型号

单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 220 hFE

当前型号

型号: BC857BWT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-323 PNP -45V -100mA 150mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BC857BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE

SBC857BWT1G和BC857BWT1G的区别

型号: BC857BW-7-F

品牌: 美台

封装: SC-70-3 PNP 65V 100mA 200mW

功能相似

DIODES INC.  BC857BW-7-F  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 200 mW, -100 mA, 290 hFE

SBC857BWT1G和BC857BW-7-F的区别

型号: SBC857BLT1G

品牌: 安森美

封装: TO-236-3 PNP 300mW

功能相似

PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

SBC857BWT1G和SBC857BLT1G的区别