SMMBTA56WT1G中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMMBTA56WT1G引脚图与封装图
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在线购买SMMBTA56WT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMMBTA56WT1G | ON Semiconductor 安森美 | SC-70 PNP 80V 0.5A | 搜索库存 |
替代型号SMMBTA56WT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMMBTA56WT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-70 PNP | 当前型号 | SC-70 PNP 80V 0.5A | 当前型号 |
| 型号： MMBTA56WT1G 品牌： 安森美 封装： SC-70 PNP -80V -500mA 150mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA56WT1G Bipolar BJT Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -80 V, 50 MHz, 150 mW, -500 mA, 100 hFE 新 | SMMBTA56WT1G和MMBTA56WT1G的区别 |
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