SMMBTA92LT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 50 MHz
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 25 @30mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 25 @30mA, 10V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 25
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 2.64 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
SMMBTA92LT1G引脚图与封装图 
SMMBTA92LT1G引脚图
SMMBTA92LT1G封装焊盘图
在线购买SMMBTA92LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMMBTA92LT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON Semiconductor ### 标准 带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号SMMBTA92LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMMBTA92LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 PNP 300mW | 当前型号 | ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： MMBTA92LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -300V -500mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA92LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -300 V, 50 MHz, 300 mW, -500 mA, 50 hFE | SMMBTA92LT1G和MMBTA92LT1G的区别 |
| 型号： MMBTA92LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -300V -500mA 0.3W | 类似代替 | 高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistors PNP Silicon | SMMBTA92LT1G和MMBTA92LT3G的区别 |
| 型号： SMMBTA92LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 PNP 300mW | 类似代替 | 高电压晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | SMMBTA92LT1G和SMMBTA92LT3G的区别 |