SMMBTA56LT1G

PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

小信号 PNP ，

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

得捷:
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3

立创商城:
SMMBTA56LT1G

欧时:
### 小信号 PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR

e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE

艾睿:
The three terminals of this PNP SMMBTA56LT1G GP BJT from ON Semiconductor give it the ability to be used as either an electronic switch or amplifier. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 4 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 4 V.

Allied Electronics:
ON Semi SMMBTA56LT1G PNP Bipolar Transistor; 0.5 A; 80 V; 3-Pin SOT-23

安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  SMMBTA56LT1G  TRANS, AEC-Q101, PNP, -80V, SOT-23-3 New

Win Source:
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23