SMUN5115T1G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.31 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
额定功率Max 202 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SMUN5115T1G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMUN5115T1G | ON Semiconductor 安森美 | 数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = ？ K + Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = k | 搜索库存 |