SBC807-25LT3G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 300 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SBC807-25LT3G引脚图与封装图
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在线购买SBC807-25LT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SBC807-25LT3G | ON Semiconductor 安森美 | BC807-25L: PNP 双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号SBC807-25LT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SBC807-25LT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23-3 PNP 300mW | 当前型号 | BC807-25L: PNP 双极晶体管 | 当前型号 |
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