SBC856BLT1G
数据手册.pdfPNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
小信号 PNP ，
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
欧时:
### 小信号 PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
立创商城:
SBC856BLT1G
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS GP XSTR SPCL TR
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 150 hFE
艾睿:
Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this PNP SBC856BLT1G GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 65 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
Allied Electronics:
ON Semi SBC856BLT1G PNP Bipolar Transistor, 0.1 A, 65 V, 3-Pin SOT-23
安富利:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR SBC856BLT1G TRANS, AEC-Q101, PNP, -65V, SOT-23-3 New
