额定电流 10 mA
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
耗散功率 225 mW
漏源极电压Vds 25 V
栅源击穿电压 25 V
增益 12 dB
测试电流 10 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
额定电压 25 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SMMBFJ310LT1G | ON Semiconductor 安森美 | 晶体管, 射频FET, 25 V, 225 mW, SOT-23 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SMMBFJ310LT1G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-23-3 225mW | 当前型号 | 晶体管, 射频FET, 25 V, 225 mW, SOT-23 | 当前型号 | |
型号: MMBF5485 品牌: 安森美 封装: | 完全替代 | ON Semiconductor MMBF5485 N通道 JFET 晶体管, Idss: 4 → 10mA, 3引脚 SOT-23封装 | SMMBFJ310LT1G和MMBF5485的区别 | |
型号: SMMBFJ310LT3G 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 225mW | 完全替代 | MMBFJ310L: N 沟道 JFET 晶体管 | SMMBFJ310LT1G和SMMBFJ310LT3G的区别 | |
型号: MMBF5458 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 350mW | 类似代替 | N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。 | SMMBFJ310LT1G和MMBF5458的区别 |