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SMMBFJ310LT1G

SMMBFJ310LT1G

数据手册.pdf

晶体管, 射频FET, 25 V, 225 mW, SOT-23

RF Mosfet N 通道 JFET 10 V 10 mA - 12dB - SOT-23-3(TO-236)


得捷:
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23


立创商城:
N 沟道 JFET 晶体管


贸泽:
JFET SS JFET XSTR SPCL


艾睿:
Trans JFET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


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Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans RF FET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
JFET N-CH 25V 10MA SOT23


SMMBFJ310LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电流 10 mA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

耗散功率 225 mW

漏源极电压Vds 25 V

栅源击穿电压 25 V

增益 12 dB

测试电流 10 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SMMBFJ310LT1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SMMBFJ310LT1G
型号 制造商 描述 购买
SMMBFJ310LT1G ON Semiconductor 安森美 晶体管, 射频FET, 25 V, 225 mW, SOT-23 搜索库存
替代型号SMMBFJ310LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMMBFJ310LT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23-3 225mW

当前型号

晶体管, 射频FET, 25 V, 225 mW, SOT-23

当前型号

型号: MMBF5485

品牌: 安森美

封装:

完全替代

ON Semiconductor MMBF5485 N通道 JFET 晶体管, Idss: 4 → 10mA, 3引脚 SOT-23封装

SMMBFJ310LT1G和MMBF5485的区别

型号: SMMBFJ310LT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23-3 225mW

完全替代

MMBFJ310L: N 沟道 JFET 晶体管

SMMBFJ310LT1G和SMMBFJ310LT3G的区别

型号: MMBF5458

品牌: 安森美

封装: SOT-23-3 350mW

类似代替

N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

SMMBFJ310LT1G和MMBF5458的区别