![SBC817-40LT1G](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_335/chanpintu/sbc817-40lt1g-SEAqmPVt-BjLVLVv9q.png)
频率 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 2.64 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
![SBC817-40LT1G引脚图](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_335/yinjiaotu/sbc817-40lt1g-gXNAMv4r-zZrKpW6bq.png)
SBC817-40LT1G引脚图
![SBC817-40LT1G封装焊盘图](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_335/hanpantu/sbc817-40lt1g-gXNAMv4r-1jxKyG5bo.png)
SBC817-40LT1G封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SBC817-40LT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR SBC817-40LT1G Bipolar BJT Single Transistor, AEC-Q101, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE 新 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SBC817-40LT1G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-23-3 NPN 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR SBC817-40LT1G Bipolar BJT Single Transistor, AEC-Q101, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE 新 | 当前型号 | |
型号: BC817-40LT3G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 300mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR BC817-40LT3G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE 新 | SBC817-40LT1G和BC817-40LT3G的区别 | |
型号: BC817-40LT1 品牌: 安森美 封装: SOT-23 | 完全替代 | 通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon | SBC817-40LT1G和BC817-40LT1的区别 | |
型号: BC817-40LT3 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN | 完全替代 | 通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon | SBC817-40LT1G和BC817-40LT3的区别 |