SBC817-25LT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 160
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SBC817-25LT1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SBC817-25LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SBC817-25LT1G | ON Semiconductor 安森美 | 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 160 hFE | 搜索库存 |
替代型号SBC817-25LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SBC817-25LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23-3 NPN 300mW | 当前型号 | 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 160 hFE | 当前型号 |
| 型号： BC817-25LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 500mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC817-25LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE | SBC817-25LT1G和BC817-25LT1G的区别 |
| 型号： BC817-25LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 300mW | 类似代替 | NPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | SBC817-25LT1G和BC817-25LT3G的区别 |
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