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SMMBT3904LT1G

SMMBT3904LT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  SMMBT3904LT1G  新

通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
### 通用 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管


得捷:
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3


立创商城:
SMMBT3904LT1G


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS GP XSTR SPCL TR


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


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# ON SEMICONDUCTOR  SMMBT3904LT1G  TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 40V


Win Source:
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23


SMMBT3904LT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定功率 300 mW

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

输入电容 8 pF

上升时间 35 ns

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 30

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

SMMBT3904LT1G引脚图与封装图
SMMBT3904LT1G引脚图

SMMBT3904LT1G引脚图

SMMBT3904LT1G封装焊盘图

SMMBT3904LT1G封装焊盘图

在线购买SMMBT3904LT1G
型号 制造商 描述 购买
SMMBT3904LT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  SMMBT3904LT1G  新 搜索库存
替代型号SMMBT3904LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMMBT3904LT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 NPN 300mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  SMMBT3904LT1G  新

当前型号

型号: 2N3904RLRP

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 40V 200mA

完全替代

通用晶体管 General Purpose Transistors

SMMBT3904LT1G和2N3904RLRP的区别

型号: SMMBT3904LT3G

品牌: 安森美

封装: TO-236 NPN 300mW

类似代替

通用晶体管 General Purpose Transistor

SMMBT3904LT1G和SMMBT3904LT3G的区别

型号: NSCT3904LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 40V

类似代替

SOT-23 NPN 40V 0.2A

SMMBT3904LT1G和NSCT3904LT1G的区别