SBC857BDW1T1G

ON Semiconductor(安森美) 分立器件

双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 45V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

欧时:
ON Semiconductor, SBC857BDW1T1G

得捷:
TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88/SC70-6

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SBC857BDW1T1G

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Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R

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Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R

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Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R

SBC857BDW1T1G中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.38 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 380 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SBC857BDW1T1G引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
SBC857BDW1T1G	ON Semiconductor 安森美	双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors	搜索库存

替代型号SBC857BDW1T1G

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： SBC857BDW1T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美封装： SC-70 PNP 380mW	当前型号	双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors	当前型号
型号： NSVT45010MW6T1G 品牌：安森美封装： 6-TSSOP PNP 380mW	完全替代	NST45010: 双 PNP 双极晶体管	SBC857BDW1T1G和NSVT45010MW6T1G的区别
型号： NST45010MW6T1G 品牌：安森美封装： 6-TSSOP PNP 380mW	功能相似	ON SEMICONDUCTOR NST45010MW6T1G Bipolar Transistor Array, Dual PNP, -45 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-363 新	SBC857BDW1T1G和NST45010MW6T1G的区别
型号： BC857BS-13-F 品牌：美台封装： SOT-363 PNP	功能相似	特点•双PNP表面贴装小信号晶体管•非常适合自动插入•对于开关和AF放大器应用•超小型表面贴装封装•无铅/ RoHS规定（注2）	SBC857BDW1T1G和BC857BS-13-F的区别