SGH40N60UFDTU
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
SGH40N60UFDTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 20.0 A
耗散功率 160000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 60 ns
额定功率Max 160 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
高度 18.9 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SGH40N60UFDTU引脚图与封装图
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在线购买SGH40N60UFDTU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SGH40N60UFDTU | Fairchild 飞兆/仙童 | 超快速IGBT Ultra-Fast IGBT | 搜索库存 |
替代型号SGH40N60UFDTU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SGH40N60UFDTU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 600V 20A 160000mW | 当前型号 | 超快速IGBT Ultra-Fast IGBT | 当前型号 |
| 型号： SGH40N60UFTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 600V 20A 160000mW | 完全替代 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin3+Tab TO-3PN Rail | SGH40N60UFDTU和SGH40N60UFTU的区别 |
| 型号： FGH20N60UFDTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-247AB 165000mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH20N60UFDTU 单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 600 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚 | SGH40N60UFDTU和FGH20N60UFDTU的区别 |