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STGB20N40LZ

STGB20N40LZ

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IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立,STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


得捷:
IGBT 390V 25A 150W D2PAK


欧时:
### IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


贸泽:
IGBT 晶体管 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 390V 25A 150000mW Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 390V 25A 3-Pin D2PAK T/R


富昌:
汽车级 390 V 25 A 内部钳位 PowerMESH IGBT - TO-263


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 390V 25A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 390V 25A 150000mW Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


STGB20N40LZ中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 150 W

击穿电压集电极-发射极 390 V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STGB20N40LZ引脚图与封装图
STGB20N40LZ引脚图

STGB20N40LZ引脚图

STGB20N40LZ封装焊盘图

STGB20N40LZ封装焊盘图

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STGB20N40LZ ST Microelectronics 意法半导体 IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 搜索库存