SBC807-16LT3G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SBC807-16LT3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SBC807-16LT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SBC807-16LT3G | ON Semiconductor 安森美 | BC807-16L: PNP 双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号SBC807-16LT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SBC807-16LT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23-3 PNP 300mW | 当前型号 | BC807-16L: PNP 双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： BCX17LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -45V -500mA | 完全替代 | SOT-23 PNP 45V 0.5A | SBC807-16LT3G和BCX17LT3G的区别 |
| 型号： BCX17LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -45V -500mA 0.3W | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BCX17LT1G 单晶体管 双极, PNP, 45 V, 300 mW, 500 mA, 100 hFE | SBC807-16LT3G和BCX17LT1G的区别 |
| 型号： BC807-16LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC807-16LT1G 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE | SBC807-16LT3G和BC807-16LT1G的区别 |