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SN75372D

SN75372D

TI(德州仪器) 主动器件

TEXAS INSTRUMENTS  SN75372D  双路驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.75V-24V电源, 500mA输出, 30ns延迟, SOIC-8

MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas Instruments

Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。

### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
低边 MOSFET 灌:500mA 拉:500mA


德州仪器TI:
10-mA/40-mA dual-Channal gate driver with enable pin


欧时:
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贸泽:
Gate Drivers Dual MOSFET


e络盟:
双路驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.75V-24V电源, 500mA输出, 30ns延迟, SOIC-8


艾睿:
Driver 0.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC Tube


Jameco:
MOSFET Driver 0.5A 2 Output High Speed In Volt 8-Pin SOIC Tube


安富利:
MOSFET DRVR 0.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC Tube


Chip1Stop:
Driver 0.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Driver 0.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC Tube


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  SN75372D  IC, MOSFET DRIVER, DUAL, SOIC-8


SN75372D中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.75V min

输出接口数 2

输出电压 23.2 V

输出电流 500 mA

针脚数 8

耗散功率 725 mW

上升时间 30 ns

驱动器/包 2

下降时间 30 ns

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 30 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

耗散功率Max 725 mW

电源电压 4.75V ~ 24V

电源电压Max 24 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

SN75372D引脚图与封装图
SN75372D引脚图

SN75372D引脚图

SN75372D封装图

SN75372D封装图

SN75372D封装焊盘图

SN75372D封装焊盘图

在线购买SN75372D
型号 制造商 描述 购买
SN75372D TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  SN75372D  双路驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.75V-24V电源, 500mA输出, 30ns延迟, SOIC-8 搜索库存
替代型号SN75372D
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SN75372D

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 4.75V 500mA 8Pin

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  SN75372D  双路驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.75V-24V电源, 500mA输出, 30ns延迟, SOIC-8

当前型号

型号: SN75372DR

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 4.75V 8Pin

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