
额定电压DC 30.0 V
额定功率 200 W
击穿电压 33.3 V
电路数 1
针脚数 2
钳位电压 48.4 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 36.8 V
脉冲峰值功率 200 W
最小反向击穿电压 33.3 V
击穿电压 33.3 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-123FL
长度 2.9 mm
宽度 1.8 mm
高度 0.9 mm
封装 SOD-123FL
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级, Automotive, Communications & Networking, Industrial, Computers & Computer Peripherals
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SMF30AT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR SMF30AT1G TVS二极管, TVS, SMF系列, 单向, 30 V, 48.4 V, SOD-123FL, 2 引脚 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SMF30AT1G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOD-123FL 30V 200W | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR SMF30AT1G TVS二极管, TVS, SMF系列, 单向, 30 V, 48.4 V, SOD-123FL, 2 引脚 | 当前型号 | |
型号: SMF30AT1 品牌: 安森美 封装: SOD-123F 30V 200W | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 30V 1kW Automotive 2Pin SOD-123FL T/R | SMF30AT1G和SMF30AT1的区别 | |
型号: 1PMT30AT1G 品牌: 安森美 封装: DO-216AA 30V 200W | 类似代替 | 齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package | SMF30AT1G和1PMT30AT1G的区别 | |
型号: SMF33A-GS08 品牌: 威世 封装: SMD | 功能相似 | VISHAY SMF33A-GS08 静电保护装置, 53.3 V, SMD, 2 引脚, 200 W | SMF30AT1G和SMF33A-GS08的区别 |