RD3P130SPTL1
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
电子元器件分类
耗散功率 20 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RD3P130SPTL1 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | PCH -100V -13A POWER MOSFET | 搜索库存 |