RYC002N05T316
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RYC002N05T316中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 1.6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.2 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 50 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 26pF @10VVds
下降时间 43 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
RYC002N05T316引脚图与封装图 
RYC002N05T316引脚图
RYC002N05T316封装图
RYC002N05T316封装焊盘图
在线购买RYC002N05T316
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RYC002N05T316 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 800 mV | 搜索库存 |
替代型号RYC002N05T316
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RYC002N05T316 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SST N-Channel 50V 0.2A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 800 mV | 当前型号 |
| 型号： BSS138LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 50V 200mA 3.5ohms 50pF | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BSS138LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V | RYC002N05T316和BSS138LT1G的区别 |
| 型号： BSS138LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 50V 200mA 3.5ohms 50pF | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BSS138LT3G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷 | RYC002N05T316和BSS138LT3G的区别 |