RM25C512C-LSNI-T
数据手册.pdf(Adesto Technologies)
电子元器件分类
RM25C512C-LSNI-T中文资料参数规格
技术参数
频率 20 MHz
供电电流 3 mA
存取时间Max 6.5 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.65V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
RM25C512C-LSNI-T引脚图与封装图
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在线购买RM25C512C-LSNI-T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RM25C512C-LSNI-T | Adesto Technologies | EEPROM Serial-SPI 512Kbit 512Pages x 128 1.8V/2.5V/3.3V 8Pin SOIC N | 搜索库存 |
替代型号RM25C512C-LSNI-T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RM25C512C-LSNI-T 品牌： Adesto Technologies 封装： 8-SOIC | 当前型号 | EEPROM Serial-SPI 512Kbit 512Pages x 128 1.8V/2.5V/3.3V 8Pin SOIC N | 当前型号 |
| 型号： RM25C512C-LSNI-B 品牌： Adesto Technologies 封装： SOIC-8 | 完全替代 | RM25C512C 系列 3.6 V 512 kb 20 MHz 非易失性 串行 存储器 - SOIC-8N | RM25C512C-LSNI-T和RM25C512C-LSNI-B的区别 |