RM25C512C-LSNI-B、RM25C512C-LSNI-T对比区别

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型号 RM25C512C-LSNI-B RM25C512C-LSNI-T

描述 RM25C512C 系列 3.6 V 512 kb 20 MHz 非易失性 串行 存储器 - SOIC-8NEEPROM Serial-SPI 512Kbit 512Pages x 128 1.8V/2.5V/3.3V 8Pin SOIC N

数据手册 --

制造商 Adesto Technologies Adesto Technologies

分类 存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

频率 20 MHz 20 MHz

供电电流 3 mA 3 mA

针脚数 8 -

时钟频率 20 MHz -

存取时间(Max) 6.5 ns 6.5 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 3.6V 1.65V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V -

电源电压(Min) 1.65 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99