RT1206DRE073K01L

Yageo(国巨) 被动器件

RES SMD 3.01KΩ 0.5% 0.25W1/4W 1206

±0.5% 0.25W，1/4W 芯片 1206（3216 公制） - 薄膜

得捷:
RES SMD 3.01K OHM 0.5% 1/4W 1206

立创商城:
3.01kΩ ±0.5% 250mW

艾睿:
Res Thin Film 1206 3.01K Ohm 0.5% 0.25W1/4W ±50ppm/°C Epoxy Pad SMD T/R

RT1206DRE073K01L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

容差 ±0.5 %

额定功率 0.25 W

产品系列 RT

电阻 3.01 kΩ

阻值偏差 ±0.5 %

工作温度Max 155 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.20 mm

宽度 1.60 mm

高度 0.55 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

温度系数 ±50 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 5000

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

RT1206DRE073K01L引脚图与封装图

RT1206DRE073K01L引脚图

RT1206DRE073K01L封装图

RT1206DRE073K01L封装焊盘图

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RT1206DRE073K01L	Yageo 国巨	RES SMD 3.01KΩ 0.5% 0.25W1/4W 1206	搜索库存

替代型号RT1206DRE073K01L

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： RT1206DRE073K01L 品牌： Yageo 国巨封装： 1206 3.01kΩ ±0.5% 125mW	当前型号	RES SMD 3.01KΩ 0.5% 0.25W1/4W 1206	当前型号
型号： RT1206DRD073K01L 品牌：国巨封装： 1206 3.01kΩ ±0.5% 125mW	完全替代	1206 3.01kΩ ±0.5%	RT1206DRE073K01L和RT1206DRD073K01L的区别
型号： RT1206BRD073K01L 品牌：国巨封装： 1206 3.01kohms 0.1per 125mW 200V	类似代替	薄膜电阻器	RT1206DRE073K01L和RT1206BRD073K01L的区别
型号： RT1206BRE073K01L 品牌：国巨封装： 1206 3.01kΩ ±0.1% 125mW	类似代替	RES SMD 3.01KΩ 0.1% 0.25W1/4W 1206	RT1206DRE073K01L和RT1206BRE073K01L的区别