RDN120N25
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RDN120N25中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 12.0 A
耗散功率 40W Tc
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
输入电容Ciss 1224pF @10VVds
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RDN120N25引脚图与封装图
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在线购买RDN120N25
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RDN120N25 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 开关（ 250V ， 12A ） Switching 250V, 12A | 搜索库存 |
替代型号RDN120N25
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RDN120N25 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 250V 12A | 当前型号 | 开关（ 250V ， 12A ） Switching 250V, 12A | 当前型号 |
| 型号： RCX120N25 品牌： 罗姆半导体 封装： TO-220FM N-Channel 250V 12A 0.18Ω | 类似代替 | 10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | RDN120N25和RCX120N25的区别 |