RCX120N25、RDN120N25对比区别

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型号 RCX120N25 RDN120N25

描述 10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET开关（ 250V ， 12A ） Switching (250V, 12A)

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 -

漏源极电阻 0.18 Ω -

极性 N-Channel -

耗散功率 40 W 40W (Tc)

阈值电压 5 V -

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 12A 12.0 A

额定功率(Max) 40 W -

工作温度(Max) 150 ℃ -

耗散功率(Max) 2.23W (Ta), 40W (Tc) 40W (Tc)

额定电压(DC) - 250 V

额定电流 - 12.0 A

输入电容(Ciss) - 1224pF @10V(Vds)

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Bulk Bulk

最小包装 1000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free