RK7002BMT116
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RK7002BMT116中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 1.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.35 W
阈值电压 2.3 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 5 ns
正向电压Max 1.2 V
输入电容Ciss 15pF @25VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.15 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
RK7002BMT116引脚图与封装图 
RK7002BMT116引脚图
RK7002BMT116封装图
RK7002BMT116封装焊盘图
在线购买RK7002BMT116
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RK7002BMT116 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | N沟道 60 V 0.2 W 表面贴装 2.5 V 驱动 硅 功率 Mosfet - SOT-23 | 搜索库存 |
替代型号RK7002BMT116
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RK7002BMT116 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-236 N-Channel | 当前型号 | N沟道 60 V 0.2 W 表面贴装 2.5 V 驱动 硅 功率 Mosfet - SOT-23 | 当前型号 |
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