R6035ENZC8
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
晶体管
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.092 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 120 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 2720pF @25VVds
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 120W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
封装 TO-3-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
R6035ENZC8引脚图
R6035ENZC8封装图
R6035ENZC8封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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R6035ENZC8 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM R6035ENZC8 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 4 V 新 | 搜索库存 |