RN2711TE85L,F

Toshiba 东芝分立器件

双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual Emitter Coupled 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV

得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 5-Pin USV T/R

Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

RN2711TE85L,F中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 400 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-353-5

外形尺寸

封装 SOT-353-5

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN2711TE85L,F引脚图与封装图

RN2711TE85L,F引脚图

RN2711TE85L,F封装图

RN2711TE85L,F封装焊盘图

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