RN4906,LF

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.1A 6Pin US Embossed T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6

得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased US6-PLN

艾睿:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.1A 6-Pin US Embossed T/R

Win Source:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

RN4906,LF中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 US-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 US-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN4906,LF引脚图与封装图

RN4906,LF引脚图

RN4906,LF封装图

RN4906,LF封装焊盘图

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RN4906,LF	Toshiba 东芝	Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.1A 6Pin US Embossed T/R	搜索库存