RN2903,LFCT
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
RN2903,LFCT中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 70 @10mA, 5V
额定功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RN2903,LFCT引脚图与封装图 
RN2903,LFCT引脚图
在线购买RN2903,LFCT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RN2903,LFCT | Toshiba 东芝 | 双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor | 搜索库存 |
替代型号RN2903,LFCT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RN2903,LFCT 品牌： Toshiba 东芝 封装： 6-TSSOP | 当前型号 | 双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor | 当前型号 |
| 型号： RN2903,LF 品牌： 东芝 封装： 6-TSSOP PNP | 类似代替 | US PNP 50V 100mA | RN2903,LFCT和RN2903,LF的区别 |