RN1907,LF

Toshiba(东芝) 分立器件

US NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin US

Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

RN1907,LF中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN1907,LF引脚图与封装图

RN1907,LF引脚图

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