RN2404TE85LF

Toshiba(东芝) 分立器件

Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP Single Ic -100mA -50V VCEO

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP Single Ic -100mA -50V VCEO

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI

RN2404TE85LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN2404TE85LF引脚图与封装图

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