容差 ±3 %
耗散功率 500 mW
测试电流 20 mA
稳压值 5.6 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 Mini-MELF
长度 3.4 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.4 mm
封装 Mini-MELF
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RLZTE-115.6C | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 0.5W,5.6V齐纳稳压二极管 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RLZTE-115.6C 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SOD80/LL34-5.6V | 当前型号 | 0.5W,5.6V齐纳稳压二极管 | 当前型号 | |
型号: RLZTE-1120C 品牌: 罗姆半导体 封装: DO-213AC | 类似代替 | 0.5W,20V齐纳稳压二极管 | RLZTE-115.6C和RLZTE-1120C的区别 | |
型号: RLZTE-115.1C 品牌: 罗姆半导体 封装: DO-213AC | 类似代替 | 电压调节玻璃封装型。 (LLDS)高可靠性。齐纳二极管 | RLZTE-115.6C和RLZTE-115.1C的区别 | |
型号: RLZTE-1139C 品牌: 罗姆半导体 封装: SOD80/LL34-39v | 类似代替 | LLDS 36.925V 0.5W1/2W | RLZTE-115.6C和RLZTE-1139C的区别 |