RB521S30T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 200 mA
输出电流 ≤200 mA
正向电压 500mV @200mA
极性 Standard
热阻 635℃/W RθJA
正向电流 0.2 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 1 A
正向电流Max 0.2 A
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-523
外形尺寸
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.6 mm
封装 SOD-523
物理参数
工作温度 55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
RB521S30T1引脚图与封装图 
RB521S30T1引脚图
RB521S30T1封装图
RB521S30T1封装焊盘图
在线购买RB521S30T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RB521S30T1 | ON Semiconductor 安森美 | 肖特基二极管 Schottky Barrier Diode | 搜索库存 |
替代型号RB521S30T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RB521S30T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOD-523 30V 200mA | 当前型号 | 肖特基二极管 Schottky Barrier Diode | 当前型号 |
| 型号： RB521S30T1G 品牌： 安森美 封装： SOD-523 30V 200mA | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR RB521S30T1G 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C | RB521S30T1和RB521S30T1G的区别 |
| 型号： RB521S30T5G 品牌： 安森美 封装： SC-79 | 类似代替 | 肖特基二极管 Schottky Barrier Diode | RB521S30T1和RB521S30T5G的区别 |
| 型号： RB521S30 品牌： 安森美 封装： SOD | 类似代替 | ON Semiconductor 二极管 RB521S30 肖特基, Io=200mA, Vrev=30V, 2引脚 SOD-523F封装 | RB521S30T1和RB521S30的区别 |