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RJH60A83RDPP-M0#T2

RJH60A83RDPP-M0#T2

数据手册.pdf
Renesas Electronics 瑞萨电子 分立器件

IGBT 晶体管 IGBT

IGBT 沟道 通孔 TO-220FL


得捷:
IGBT 600V 20A 30W TO-220FL


贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220FL Tube


DeviceMart:
IGBT 600V 20A 30W TO-220FL


RJH60A83RDPP-M0#T2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 30000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 130 ns

额定功率Max 30 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RJH60A83RDPP-M0#T2引脚图与封装图
RJH60A83RDPP-M0#T2引脚图

RJH60A83RDPP-M0#T2引脚图

RJH60A83RDPP-M0#T2封装图

RJH60A83RDPP-M0#T2封装图

RJH60A83RDPP-M0#T2封装焊盘图

RJH60A83RDPP-M0#T2封装焊盘图

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