![RN55C1003BB14](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_301/chanpintu/rn55c1003bb14-4EZKh3eu-Eqmmd2BGq.png)
RN55C1003BB14中文资料参数规格
技术参数
容差 ±0.1 %
额定功率 125 mW
电阻 100 kΩ
阻值偏差 ±0.1 %
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 200 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 Axial Leaded
外形尺寸
长度 7.37 mm
封装 Axial Leaded
物理参数
温度系数 ±50 ppm/℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
RN55C1003BB14引脚图与封装图
暂无图片
在线购买RN55C1003BB14
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
RN55C1003BB14 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY RN55C1003BB14 金属膜电阻, 100KΩ 100mW, 0.1% | 搜索库存 |
替代型号RN55C1003BB14
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: RN55C1003BB14 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: Axial | 当前型号 | VISHAY RN55C1003BB14 金属膜电阻, 100KΩ 100mW, 0.1% | 当前型号 | |
型号: RN55C1003FB14 品牌: 威世 封装: Axial | 类似代替 | VISHAY RN55C1003FB14 金属膜电阻, 100KΩ, 100mW, 1% | RN55C1003BB14和RN55C1003FB14的区别 |