PSMN004-60P
NXP
恩智浦
电子元器件分类
PSMN004-60P中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 75A
输入电容Ciss 8300pF @25VVds
额定功率Max 230 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN004-60P引脚图与封装图
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在线购买PSMN004-60P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN004-60P | NXP 恩智浦 | N沟道增强模式音响场效晶体管 N-channel enhancement mode field-effect transistor | 搜索库存 |
替代型号PSMN004-60P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN004-60P 品牌： NXP 恩智浦 封装： | 当前型号 | N沟道增强模式音响场效晶体管 N-channel enhancement mode field-effect transistor | 当前型号 |
| 型号： APT5025BN 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | TO-247 N-CH 500V 23A | PSMN004-60P和APT5025BN的区别 |
| 型号： APT8075BN 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | TO-247 N-CH 800V 13A | PSMN004-60P和APT8075BN的区别 |
| 型号： PHP21N06T 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor | PSMN004-60P和PHP21N06T的区别 |
