PHE13005,127

We En Semiconductor 分立器件

PHE13005 系列 400 v 4 A 硅漫射式功率晶体管 - TO-220AB

Bipolar BJT Transistor NPN 400V 4A 75W Through Hole TO-220AB

欧时:
Transistor, NXP, PHE13005

得捷:
TRANS NPN 400V 4A TO220AB

艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

富昌:
PHE13005 Series 400 v 4 A Silicon Diffused Power Transistor - TO-220AB

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

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PHE13005,127

PHE13005,127中文资料参数规格

技术参数

额定功率 75 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 75 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 10 @2A, 5V

额定功率Max 75 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 75000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

PHE13005,127引脚图与封装图

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PHE13005,127	We En Semiconductor	PHE13005 系列 400 v 4 A 硅漫射式功率晶体管 - TO-220AB	搜索库存

替代型号PHE13005,127

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： PHE13005,127 品牌： We En Semiconductor 封装： TO-220AB NPN 75000mW	当前型号	PHE13005 系列 400 v 4 A 硅漫射式功率晶体管 - TO-220AB	当前型号
型号： PHD13005,127 品牌： We En Semiconductor 封装： TO-220AB NPN	完全替代	TO-220AB NPN 400V 4A	PHE13005,127和PHD13005,127的区别
型号： TIP142TTU 品牌：飞兆/仙童封装： TO-220AB NPN 100V 10A 80000mW	功能相似	达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl	PHE13005,127和TIP142TTU的区别
型号： BUJ303AX 品牌：恩智浦封装： TO NPN	功能相似	NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors	PHE13005,127和BUJ303AX的区别