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PHE13005,127、TIP142TTU、PHD13005,127对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHE13005,127 TIP142TTU PHD13005,127

描述 PHE13005 系列 400 v 4 A 硅 漫射式 功率 晶体管 - TO-220AB达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil DarlTO-220AB NPN 400V 4A

数据手册 ---

制造商 We En Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童) We En Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 75 W 80 W 75 W

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 100 V 400 V

集电极最大允许电流 4A 10A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 10 @2A, 5V 1000 @5A, 4V 10 @2A, 5V

额定功率(Max) 75 W 80 W 75 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 75000 mW 80000 mW 75000 mW

针脚数 3 - -

耗散功率 75 W 80 W -

直流电流增益(hFE) 10 - -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 10.0 A -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 9.4 mm -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail Tube Rail

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99 -