PMZ290UNE2YL
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NXP
恩智浦
分立器件
PMZ290UNE2YL中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 350mW Ta, 5.43W Tc
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 46pF @10VVds
耗散功率Max 350mW Ta, 5.43W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DFN1006-3
外形尺寸
封装 DFN1006-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Pre-Release
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMZ290UNE2YL引脚图与封装图
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在线购买PMZ290UNE2YL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMZ290UNE2YL | NXP 恩智浦 | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor FET in a leadless ultra small DFN1006-3 SOT883 Surface-Mounted Device SMD plastic package using Trench MOSFET technology. DFN1006-3: leadless ultra small plastic package; 3 solder lands | 搜索库存 |
替代型号PMZ290UNE2YL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMZ290UNE2YL 品牌： NXP 恩智浦 封装： DFN1006-3 | 当前型号 | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor FET in a leadless ultra small DFN1006-3 SOT883 Surface-Mounted Device SMD plastic package using Trench MOSFET technology. DFN1006-3: leadless ultra small plastic package; 3 solder lands | 当前型号 |
| 型号： PMZ290UNYL 品牌： 恩智浦 封装： SOT883 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3Pin DFN T/R | PMZ290UNE2YL和PMZ290UNYL的区别 |