PMPB29XNE,115

NXP 恩智浦分立器件

DFN-MD N-CH 30V 5A

N-Channel 30V 5A Ta 1.7W Ta, 12.5W Tc Surface Mount DFN2020MD-6

得捷:
MOSFET N-CH 30V 5A DFN2020MD-6

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN EP T/R

富昌:
PMPB29 系列 30 V 33 mΩ 单 N沟道 Trench MOSFET - DFN2020MD-6

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN EP T/R

PMPB29XNE,115中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.5 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 5A

输入电容Ciss 1150pF @15VVds

耗散功率Max 1.7W Ta, 12.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMPB29XNE,115引脚图与封装图

暂无图片

在线购买PMPB29XNE,115

型号	制造商	描述	购买
PMPB29XNE,115	NXP 恩智浦	DFN-MD N-CH 30V 5A	搜索库存