PBSS4350SS,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS4350SS,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
极性 NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 2.7A
最小电流放大倍数hFE 300 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 300 @100mA, 2V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PBSS4350SS,115引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS4350SS,115 | NXP 恩智浦 | PBSS4350SS 系列 50 V 2.7 A NPN/NPN 低VCEsat BISS 晶体管 - SOIC-8 | 搜索库存 |